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1化学G1试题)
(3)基态 As 原子中占据最高能级的电子的电子云轮廓图为形。(4)β-SiC 的晶胞结构如图所示。OS已知：i.晶体密度为pg·cm-”;ii.设 N为阿伏加德罗常数的值。①SiC属于(填“离子晶体"“分子晶体"或“共价晶体")。②A、B两原子的核间距为（用含p的代数式表示)cm。③沸点：SiH4（填“>"或“<")CH，判断的理由为(5)GaAs 的晶胞结构如图甲。将 Mn 掺杂到 GaAs 的晶体中得到稀磁性半导体材料(图乙)。→MnMn掺杂OGasVOMn①GaAs 晶胞中距离 Ga 原子最近的 As 原子的个数为②掺杂Mn 之后，晶体中 Mn、Ga、As的原子个数比为(化为最简整数比)。【高二化学第6页(共6页)】
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